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台积电5nm投资加速

来源:网络  2019-11-01 13:12:07    

资料来源:《商业时报》的内容。谢谢你。

领先晶圆代工企业TSMC第三季度企业简报会将于17日举行,由总裁魏哲佳和新任首席财务官黄任钊共同主持。TSMC今年的资本支出将保持在110亿美元的高水平。市场预计将聚焦于5纳米的投资计划。fab 18的第一阶段将在明年3月后进入大规模生产。能力建设的第二和第三阶段将在未来两年内完成并投入大规模生产。全产能投资下的5纳米晶圆年产量将在2022年超过100万片。

设备制造商估计,2020年TSMC的资本支出将达到120-130亿美元。最重要的投资项目是建设5纳米极紫外(euv)产能,由于fab 18工厂3纳米项目的启动,2021年资本支出将继续上升。

法人乐观地认为,TSMC的主要联盟伙伴将直接受益,包括汉唐厂、再生晶圆厂、沈阳半中砂厂、euv掩膜厂、晶圆测试卡厂、硅片厂通用晶体、测试服务厂怡特、康康。

TSMC 5纳米是一项技术成就。其7纳米增强版(n7)已通过euv光刻技术大规模生产。通过新技术的学习曲线,5纳米euv的引入速度加快,产量增长达到预期。与7纳米工艺相比,5纳米芯片的密度提高了80%,在相同功耗下可以降低15%的功耗,在相同功耗下可以提高30%的计算效率。此外,极低阈值电压(elvt)晶体管的超低功耗设计也首次在5纳米处采用,在elvt工作下仍能提高25%的工作性能。

此外,TSMC将在5纳米大规模生产一年后推出5纳米增强版(n5),与5纳米工艺相比,在相同功耗下可以提高7%的计算效率,或者在相同计算效率下降低15%的功耗。n5工艺将于2020年第一季度开始试生产,并于2021年进入大规模生产。

TSMC还将在5纳米工艺生成中引入3d芯片封装工艺,以满足客户在高性能计算和5g方面的应用需求,包括两个主轴:芯片尺寸和工艺相同的晶圆堆叠晶圆封装,以及芯片堆叠在晶圆上的系统集成单芯片封装。业界对TSMC的3d芯片堆叠封装方案持乐观态度,该方案可以将多个异构小芯片紧密集成在一起,并提供更好的系统性能。

据法人估计,TSMC将在7纳米之后将5纳米作为一个主要节点,这在芯片密度、计算效率、功耗降低等方面都有显著的好处。苹果、华为海斯、超微、xilinx、nvidia和伯通等主要客户将委托TSMC大规模生产5纳米芯片或处理器。至于高通的5纳米订单,预计也将回归TSMC投资。

*免责声明:这篇文章最初是作者写的。这篇文章的内容是作者的个人观点。重印半导体行业观察只是为了传达不同的观点。这并不意味着半导体行业观察同意或支持这一观点。如果您有任何异议,请联系半导体行业观察。

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